AMOLED 憑仗高質(zhì)量的顯現(xiàn)功能而成為開展首要趨勢,其中高效率的發(fā)光材料及器材制備、高功能TFT 及驅(qū)動技能是AMOLED 研討的關(guān)鍵。當前應用于OLED 有源驅(qū)動的TFT 技能有低溫多晶硅(LTPS)TFT、非晶硅(aSi)TFT和微晶硅(μcSi)TFT3 種。LTPSTFT 具有遷移率高(50~200cm2/V·s)和易集成周邊驅(qū)動(可做n型和p 型TFT)的長處,但其技能雜亂、成本高,閾值電壓和遷移率的不均勻性不利于大面積顯現(xiàn);aSiTFT 均勻性好,與當前的AMLCD工業(yè)技能兼容,技能簡略、成本低,但存在遷移率低(一般小于1cm2/V·s)、不能用作p 型管、閾值電壓漂移嚴峻的缺陷;μcSiTFT 功能介于pSiTFT 與aSiTFT 之間,較好地平衡了二者的優(yōu)缺陷,遷移率較高(1~50cm2/V·s),穩(wěn)定性好于aSiTFT,可用于大尺度顯現(xiàn),是TFT 驅(qū)動技能開展的一個要點方向。
? ? ? 關(guān)于運用不一樣TFT 基板驅(qū)動的AMOLED,應選用合適的灰度完成辦法。在pSiTFT 驅(qū)動辦法中常用數(shù)字驅(qū)動計劃,TFT 只是作為模仿開關(guān)運用,用以處置閾值電壓不一致性。數(shù)字驅(qū)動電路的缺陷是工作頻率要比模仿驅(qū)動電路高得多,不適用于低遷移率TFT 驅(qū)動的顯現(xiàn)電路。aSiTFT 和μcSiTFT 驅(qū)動辦法中選用的是模仿驅(qū)動,長處是原理簡略,經(jīng)過操控電壓或者電流的改變就能得到需要的灰度。模仿驅(qū)動辦法被廣泛應用于aSiTFTLCD 中。
圖1所示為驅(qū)動電路的全體構(gòu)造框圖。計算機輸出的顯現(xiàn)數(shù)據(jù)經(jīng)過數(shù)字視頻接口(DVI)傳送給DVI解碼芯片,將信號解碼成RGB 信號和時刻同步信號,輸送給FPGA 進行數(shù)據(jù)處置。FPGA 為整個驅(qū)動體系的操控、處置核心。處置完的數(shù)據(jù)經(jīng)緩存后,再依據(jù)時刻同步信號寫入驅(qū)動IC 中。終究經(jīng)過對行、列驅(qū)動IC 的操控來完成OLED 屏幕顯現(xiàn)。驅(qū)動電路體系中,DVI解碼芯片選用SiliconImageSill41B;FPGA 運用AlteraCyclone Ⅱ 系列的EP2C5T144C6。它有4608 個LES,119808bitsmemory,26 個乘法器,用戶可用IO 口為89個。
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