? ? ? 生長LED有機(jī)層的晶圓制程方法有氣相晶圓(VPE)、液相晶圓(LPE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)、分子束晶圓
(MBE)。它們生長LED有機(jī)層的材料分別有氣相晶圓CaAsp、GaP,液相晶圓GaP,GaAlAs,金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積
InGaAlP、InCaN,分子束晶圓ZnSe等。
液相晶圓已能一爐生長60-100片,生產(chǎn)效率較高,通過稼的重復(fù)使用成本也已降得很低,可用以制造高亮度GaP綠色發(fā)光器
件和一般亮度的GaP紅色發(fā)光器件,也可用它制造超高亮度GaAlAs發(fā)光器件。
金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積法(MOCVD)是目前生產(chǎn)超高亮度InCaN藍(lán)、綠色LED和InCaAIP紅、黃色LED的主要方法,它既能精
確控制生長厚度,又能精密控制晶圓層的組成??捎么朔ㄉL超高亮度LED結(jié)構(gòu)中所需要的量子阱階層和DBR反射結(jié)構(gòu)種的20個
左右的周期層,也適用于大量生產(chǎn),是目前生產(chǎn)超高亮度LED的主要方法。
分子束晶圓目前主要用于研制ZnSe白色發(fā)光二極管,效果很好,能生長小于10A的晶圓層,確定是生長數(shù)度較慢,每小時約
1mm,裝片容量也頗少,生產(chǎn)效率較低。
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